Single-chamber PECVD deposition facility 1S-300

设备名称

Description

型号

Model

主要技术内容

Specification

主要用途

Usage

其它

Other

单室PECVD

沉积设备

PCVD Plasma

Enhanced

Chemical

Vapor

Deposition

Equipment

1S-300

极限真空：8x10^-5Pa

Ultimate cacuuum:8x10^-5Pa

PECVD沉积室：φ300

OECVD chamber:φ300

样品：φ50

Sample size:φ50

样品加热：700℃

temperature：700℃

射频功率：RF 300W

Sputtering power：RF 300W

配气系统：5路流量控制

Gas flow  system:5-MFC,

Flow control

非晶硅薄膜制备工艺研究。

Amorphous films.