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设备名称 Description |
型号 Model |
主要技术内容 Specification |
主要用途 Usage |
其它 Other |
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多靶磁控溅射设备
Magnetron Sputtering Equipment |
DB-500B |
极限真空：8x10-5Pa Ultimate cacuuum:8x10-5Pa 溅射室：φ500 Sputtering chamber:φ500 进样室：φ400 Preparation chamber:φ400 靶：3xφ60 Target：3xφ60 样品：φ50；试管状样块 Sample size:φ50 样品加热：400℃ Sample heated temperature：400℃ 退火：700℃ Back the fire: 700℃ 溅频功率：RF 1000W；DC1000W Sputtering power: RF 500W; DC500W 样片等离子清洗； Plasma clean 样片运动方式：公转、自转 Sample transmission:Revolted and rotated 配气系统：2路流量控制 Gas flow system:2-MFC, Flow control |
用于制备各种单质、氧化物、 金属、半导体、磁性薄膜及 特殊要求薄膜的工艺研究。 并可制备较大面积的薄膜。 Used for the production of metal films,medium films,semiconduct or films and metal films Suitable for scientific research. |
可选计算机控制。（样品转盘 复位、确认靶位；时间、厚 度控制及记录功能；样品回 转控制；靶极遮挡；膜厚控 制；自动生成溅射过程温度、 溅射电流、电压、气体流量、 真空度等随时间变化的曲线）
Can Options:Computer Process control System. |
