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设备名称 Description |
型号 Model |
主要技术内容 Specification |
主要用途 Usage |
其它 Other |
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单室PECVD 沉积设备
PCVD Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Equipment |
1S-300 |
极限真空：8x10-5Pa Ultimate cacuuum:8x10-5Pa
PECVD沉积室：φ300 OECVD chamber:φ300
样品：φ50 Sample size:φ50
样品加热：700℃ temperature：700℃
射频功率：RF 300W Sputtering power：RF 300W
配气系统：5路流量控制 Gas flow system:5-MFC, Flow control
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非晶硅薄膜制备工艺研究。
Amorphous films. |
