Large area multi-target magnetron sputtering equipment DB-1380

设备名称

Description

型号

Model

主要技术内容

Specification

主要用途

Usage

其它

Other

大面积多靶磁控溅射设备

Magnetron

Sputtering

Equipment

DB-1380

极限真空：2x10-4Pa

Ultimate cacuuum:2x10-4Pa

溅射室：1380x250x490

Sputtering chamber:1380x250x490

进样室：430x250x490

Preparation chamber:430x250x490

靶：320x130（3个）

Target：320x130（3set）

样品：290x210

Sample size: 290x210

样品加热：300℃

Sample heated temperature：300℃

退火：700℃

Back the fire: 700℃

溅频功率：RF 1000W；DC1000W

Sputtering power: RF 1000W; DC1000W

样片等离子清洗；

Plasma clean

配气系统：2路流量控制

Gas flow  system:2-MFC,

Flow control

用于制备各种单层或多层介

质膜、金属、半导体薄膜及

工艺研究。

Used for the production of metal 

films,medium films,semiconduct 

or films and metal films

Suitable for scientific research.

可选计算机控制。（样品转盘

复位、确认靶位；时间、厚

度控制及记录功能；样品回转控

制；靶极遮挡；膜厚控制；自

动生成溅射过程温度、溅射电

流、电压、气体流量、

真空度等随时间变化的曲线）

Can

Options:Computer

Process control

System.