CVD deposition facility 1S-700

设备名称

Description

型号

Model

主要技术内容

Specification

主要用途

Usage

其它

Other

CVD沉积设备

PCVD Plasma

Enhanced

Chemical

Vapor

Deposition

Equipment

1S-700

沉积室：700x700x500

Chamber: 700x700x500

样品台：φ350

Sample set:φ350

极限真空：2x10-4Pa

Ultimate cacuuum:2x10^-4Pa

样品转速：1～10转/小时

Turning rate:0.02～0.2rpm

样品加热：300℃

Temperature:300℃

射频功率：RF 2000W

Sputtering power：RF 2000W

配气系统：5路流量控制

Gas flow  system:5-MFC,

Flow control

用于制备类金刚石保护膜。

可选计算机控制。可实现多

层膜计算机控制自动沉积，

自动生成沉积过程温度、射

频电流、电压、气体流量、

真空度等随时间变化的曲线。

Can

Options:Computer

Process control

System.