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设备名称 Description |
型号 Model |
主要技术内容 Specification |
主要用途 Usage |
其它 Other |
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大面积多靶磁控溅射设备
Magnetron Sputtering Equipment |
DB-1380 |
极限真空：2x10-4Pa Ultimate cacuuum:2x10-4Pa 溅射室：1380x250x490 Sputtering chamber:1380x250x490 进样室：430x250x490 Preparation chamber:430x250x490 靶：320x130（3个） Target：320x130（3set） 样品：290x210 Sample size: 290x210 样品加热：300℃ Sample heated temperature：300℃ 退火：700℃ Back the fire: 700℃ 溅频功率：RF 1000W；DC1000W Sputtering power: RF 1000W; DC1000W 样片等离子清洗； Plasma clean 配气系统：2路流量控制 Gas flow system:2-MFC, Flow control |
用于制备各种单层或多层介 质膜、金属、半导体薄膜及 工艺研究。 Used for the production of metal films,medium films,semiconduct or films and metal films Suitable for scientific research. |
可选计算机控制。（样品转盘 复位、确认靶位；时间、厚 度控制及记录功能；样品回转控 制；靶极遮挡；膜厚控制；自 动生成溅射过程温度、溅射电 流、电压、气体流量、 真空度等随时间变化的曲线）
Can Options:Computer Process control System. |
