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设备名称 Description |
型号 Model |
主要技术内容 Specification |
主要用途 Usage |
其它 Other |
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CVD沉积设备
PCVD Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Equipment |
1S-700 |
沉积室：700x700x500 Chamber: 700x700x500
样品台：φ350 Sample set:φ350
极限真空：2x10-4Pa Ultimate cacuuum:2x10-4Pa
样品转速：1～10转/小时 Turning rate:0.02～0.2rpm
样品加热：300℃ Temperature:300℃ 射频功率：RF 2000W Sputtering power：RF 2000W
配气系统：5路流量控制 Gas flow system:5-MFC, Flow control
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用于制备类金刚石保护膜。
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可选计算机控制。可实现多 层膜计算机控制自动沉积， 自动生成沉积过程温度、射 频电流、电压、气体流量、 真空度等随时间变化的曲线。
Can Options:Computer Process control System. |
