Multi-target magnetron sputtering equipment DB-900

设备名称

Description

型号

Model

主要技术内容

Specification

主要用途

Usage

其它

Other

多靶磁控溅射设备

Magnetron

Sputtering

Equipment

DB-900

极限真空：8x10-5Pa

Ultimate cacuuum:8x10-5Pa

溅射室：φ900

Sputtering chamber:φ900

靶：400x200三块

Target：400x200 x3

样品：φ350；

Sample size:φ350

样品加热：250℃

Sample heated temperature：250℃

样片运动方式：公转、自转

Sample transmission:Revolted and rotated

配气系统：2路流量控制

Gas flow  system:2-MFC,

Flow control

用于制备各种单层或多层介

质膜、金属、半导体薄膜及

工艺研究。

Used for the production of metal 

films,medium films,semiconduct

 or films and metal films

Suitable for scientific research.