CVD deposition facility D700

设备名称

Description

型号

Model

主要技术内容

Specification

主要用途

Usage

其它

Other

CVD沉积设备

PCVD Plasma

Enhanced

Chemical

Vapor

Deposition

Equipment

D700

极限真空：2x10^-4Pa

Ultimate cacuuum:2x10^-4Pa

PECVD沉积室：900x900x400

OECVD chamber:900x900x400

样品：650 x650

Sample size: 650 x650

样品加热：300℃

temperature：300℃

射频功率：RF 2000W

Sputtering power：RF 2000W

配气系统：5路流量控制

Gas flow  system:5-MFC,

Flow control

太阳能电池薄膜制备。

可选计算机控制。可实现多

层膜计算机控制自动沉积，

自动生成沉积过程温度、

射频电流、电压、气体流

量、真空度等随时间变化

的曲线。

Can

Options:Computer

Process control

System.