Three-chamber PECVD deposition facility 3S-400

设备名称

Description

型号

Model

主要技术内容

Specification

主要用途

Usage

其它

Other

三室PECVD

沉积设备

PCVD Plasma

Enhanced

Chemical

Vapor

Deposition

Equipment

3S-400

极限真空：8x10^-5Pa

Ultimate cacuuum:8x10^-5Pa

PECVD沉积室：φ400

OECVD chamber:φ400

样品：100x100

Sample size:100x100

样品加热：350℃

temperature：350℃

射频功率：RF 500W

Sputtering power：RF 500W

配气系统：5路流量控制

Gas flow  system:5-MFC,

Flow control

非晶硅薄膜制备工艺研究。

Amorphous films.

可选计算机控制。自动生成沉

积过程温度、射频电流、电压、

气体流量、真空度等随时间

变化的曲线。

Can

Options:Computer

Process control

System.