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多靶磁控溅射设备DB-450

分类:磁控溅射设备 浏览次数:1344

设备名称

Description

型号

Model

主要技术内容

Specification

主要用途

Usage

其它

Other

多靶磁控溅射设备

 

Magnetron

Sputtering

Equipment

DB-450

极限真空:7x10-5Pa

Ultimate cacuuum:7x10-5Pa

溅射室:φ450x350

Sputtering chamber:φ450x350

靶:4xφ76

Target:4xφ76

样品:φ50x4个

Sample size:φ50x4个

样品加热:500℃

Sample heated temperature:500℃

溅频功率:RF 1000W;DC200W

Sputtering power: RF 1000W;DC200W

 

样片运动方式:公转、自转

Sample transmission:Revolted and rotated

配气系统:3路流量控制

Gas flow  system:3-MFC,

 

用于制备各种单层或多层介

质膜、金属、半导体薄膜及

艺研究。

Used for the production of metal

 films,medium films,semiconduct

 or films and metal films

Suitable for scientific research.

工艺过程计算机控制

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