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设备名称 Description |
型号 Model |
主要技术内容 Specification |
主要用途 Usage |
其它 Other |
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多靶磁控溅射设备
Magnetron Sputtering Equipment |
DB-450 |
极限真空：7x10-5Pa Ultimate cacuuum:7x10-5Pa 溅射室：φ450x350 Sputtering chamber:φ450x350 靶：4xφ76 Target：4xφ76 样品：φ50x4个 Sample size:φ50x4个 样品加热：500℃ Sample heated temperature：500℃ 溅频功率：RF 1000W；DC200W Sputtering power: RF 1000W；DC200W
样片运动方式：公转、自转 Sample transmission:Revolted and rotated 配气系统：3路流量控制 Gas flow system:3-MFC,
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用于制备各种单层或多层介 质膜、金属、半导体薄膜及 工艺研究。 Used for the production of metal films,medium films,semiconduct or films and metal films Suitable for scientific research. |
工艺过程计算机控制 |
