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设备名称 Description |
型号 Model |
主要技术内容 Specification |
主要用途 Usage |
其它 Other |
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多靶磁控溅射设备
Magnetron Sputtering Equipment |
DB-500 |
极限真空：8x10-5Pa Ultimate cacuuum:8x10-5Pa 溅射室：φ500 Sputtering chamber:φ500 靶：3xφ60 Target：3xφ60 样品：φ50；试管状样块 Sample size:φ50 样品加热：400℃ Sample heated temperature：400℃ 溅频功率：RF 1000W；DC1000W Sputtering power: RF 1000W 样片运动方式：公转、自转 Sample transmission:Revolted and rotated 配气系统：2路流量控制 Gas flow system:2-MFC, Flow control 离子束缚住 lon beam source auxiliary |
用于制备各种单层或多层介 质膜、金属、半导体薄膜及 工艺研究。 Used for the production of metal films,medium films,semiconduct or films and metal films Suitable for scientific research. |
