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设备名称 Description |
型号 Model |
主要技术内容 Specification |
主要用途 Usage |
其它 Other |
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CVD沉积设备
PCVD Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Equipment |
D700 |
极限真空：2x10-4Pa Ultimate cacuuum:2x10-4Pa
PECVD沉积室：900x900x400 OECVD chamber:900x900x400
样品：650 x650 Sample size: 650 x650
样品加热：300℃ temperature：300℃
射频功率：RF 2000W Sputtering power：RF 2000W
配气系统：5路流量控制 Gas flow system:5-MFC, Flow control
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太阳能电池薄膜制备。
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可选计算机控制。可实现多 层膜计算机控制自动沉积， 自动生成沉积过程温度、 射频电流、电压、气体流 量、真空度等随时间变化 的曲线。
Can Options:Computer Process control System. |
