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设备名称 Description |
型号 Model |
主要技术内容 Specification |
主要用途 Usage |
其它 Other |
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三室PECVD 沉积设备
PCVD Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Equipment |
3S-400 |
极限真空：8x10-5Pa Ultimate cacuuum:8x10-5Pa
PECVD沉积室：φ400 OECVD chamber:φ400
样品：100x100 Sample size:100x100
样品加热：350℃ temperature：350℃
射频功率：RF 500W Sputtering power：RF 500W
配气系统：5路流量控制 Gas flow system:5-MFC, Flow control
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非晶硅薄膜制备工艺研究。
Amorphous films. |
可选计算机控制。自动生成沉 积过程温度、射频电流、电压、 气体流量、真空度等随时间 变化的曲线。
Can Options:Computer Process control System. |
